Jan nou koumanse

Pandan chaje ak dechaje pil, kapasite a pral enfliyanse pa survoltaj ki te koze pa rezistans entèn yo. Kòm yon paramèt kritik nan batri, rezistans entèn vo rechèch pou analize degradasyon batri. Rezistans entèn yon batri gen ladan:

• Ohm rezistans entèn (R_Ω) –Rezistans nan onglè, elektwolit, séparateur ak lòt konpozan.
• Chaje transmisyon rezistans entèn (R_ct) –Rezistans nan iyon pase onglè ak elektwolit. Sa a reprezante difikilte pou reyaksyon onglets. Nòmalman nou ka ogmante konduktivite a diminye rezistans sa a.
• Rezistans polarizasyon (R_mt) se rezistans entèn ki te koze pa dansite inegal nan iyon ityòm antkatodak anod. Rezistans polarizasyon yo pral pi wo nan sitiyasyon tankou chaje nan batanperatioswa chaj segondè rated.

Nòmalman nou mezire ACIR oswa DCIR. ACIR se rezistans entèn ki mezire nan 1k Hz AC aktyèl. Rezistans entèn sa a konnen tou kòm rezistans Ohm. Lamanknan done yo se ke li pa ka dirèkteman montre pèfòmans nan yon batri. DCIR mezire pa yon kouran fòse konstan nan yon ti tan, nan ki vòltaj la kontinyèlman chanje. Si aktyèl la enstantane se mwen, ak chanjman nan vòltaj nan kout tèm sa a seΔＵ, dapre lalwa OhmＲ＝ΔＵ／ＩNou ka jwenn DCIR la. DCIR se pa sèlman Ohm rezistans entèn, men tou, chaj transfè rezistans ak rezistans polarizasyon.

Analiz sou estanda Lachin ak lòt peyi yo

It's toujou yon difikilte pou sou rechèch DCIR yon batri ityòm-ion. Li's sitou paske rezistans entèn yon batri ityòm-ion piti anpil, dabitid jis kèk mΩ. Pandan se tan kòm yon eleman aktif, li difisil pou mezire rezistans entèn la dirèkteman. Anplis, rezistans entèn la enfliyanse pa estati anviwònman an, tankou tanperati ak estati chaj yo. Anba a se estanda ki mansyone sou fason pou teste DCIR.

• Estanda entènasyonal:

IEC 61960-3: 2017:Selil segondè ak pil ki gen elektwolit alkalin oswa lòt ki pa asid – Selil ityòm segondè ak pil pou aplikasyon pòtab – Pati 3: Selil segondè ityòm prismatik ak silendrik ak pil ki fèt ak yo..

IEC 62620:2014:Selil segondè ak pil ki gen elektwolit alkalin oswa lòt ki pa asid - Selil ityòm segondè ak pil pou itilize nan aplikasyon endistriyèl.

• Japon:JIS C 8715-1:2018: Selil ityòm segondè ak pil pou itilize nan aplikasyon endistriyèl - Pati 1: Tès ak kondisyon pèfòmans
• Lachin pa gen estanda ki enpòtan sou tès DCIR.

Varyete

Metòd tès yo sanble nan mitan yoIEC 61960-3:2017,IEC 62620:2014epiJIS C 8715-1:2018. Distenksyon prensipal yo se jan sa a:

1. Tanperati tès yo diferan. IEC 62620:2014 akJIS C 8715-1:2018kontwole yon 5℃pi wo nan tanperati anbyen pase IEC 61960-3:2017. Tanperati ki pi ba yo pral fè li pi wo viskozite nan elektwolit, ki pral lakòz pi ba mouvman nan iyon. Se konsa, reyaksyon chimik la pral pi dousman, ak rezistans Ohm ak rezistans polarizasyon ap vin pi gwo, ki pral lakòz yon tandans nan ogmantasyon DCIR.
2. SoC diferan. SoC a mande nanIEC 62620:2014epiJIS C 8715-1:2018se 50％±10％, pandanIEC 61960-3:2017se 100%. Estati chaj la trè enfliyan pou DCIR. Nòmalman rezilta tès DCIR ap vin pi ba ak ogmantasyon SoC. Sa a se ki gen rapò ak pwosedi a nan reyaksyon. Nan yon SoC ki ba,rezistans transfè chaj laR_ct pral pi wo; epiR_ct ap diminye ak ogmantasyon nan SoC, konsa tankou DCIR.
3. Peryòd egzeyat la diferan. IEC 62620:2014 ak JIS C 8715-1:2018 mande pou yon peryòd egzeyat ki pi long paseIEC 61960-3:2017. Peryòd batman kè long la pral lakòz yon pi ba tandans ogmante nan DCIR, epi prezante yon devyasyon soti nan linearite. Rezon ki fè la se ke ogmantasyon nan tan batman kè ap lakòz yon pi woR_ct epi vindominan.
4. Kouran egzeyat yo diferan. Sepandan aktyèl la egzeyat pa nesesèman dirèkteman gen rapò ak DCIR. Relasyon an detèmine palakonsepsyon.
5. Menm siJIS C 8715-1:2018refere aIEC 62620:2014, yo gen definisyon diferan sou pil segondè rated.IEC 62620:2014defini ke pil segondè rated ka dechaje pa mwens pase 7.0C nan aktyèl.WhileJIS C 8715-1:2018defini pil segondè rated yo se moun ki ka dechaje ak 3.5C.

Analiz sou Tès

Anba a se tablo fonksyon vòltaj-tan nan mezi tès DCIR. Koub la montre rezistans selil yo, pou nou ka evalye pèfòmans lan.

• Jan yo montre nan foto a, flèch wouj yo reprezanteR_Ω. Valè a gen rapò ak iR-gout. iR-gout vle di chanjman an toudenkou nan vòltaj apre chanjman aktyèl la. Nòmalman lè yon selil elektrik, la'yon gout nan vòltaj. Se poutèt sa nou ka konnen ke laR_Ω nan selil la se0.49mΩ.
• Flèch vèt la reprezanteR_ct. R_ct epiR_mt bezwen kèk tan pou aktive. Nòmalman li rive apre gout nan Ohm Voltage. Valè a nanR_ct ka mezire 1ms apre chanjman aktyèl la. Valè a se0.046mΩ. NòmalmanR_ct ap diminye ak ogmantasyon nan SoC.
• Flèch ble a reprezante chanjman nanR_mt. Vòltaj la kontinye ap diminye akòz gaye ityòm-ion inegal. Valè a nanR_mt is 0.19mΩ 

Konklizyon

Tès DCIR ka montre pèfòmans pil yo. Li's tou yon paramèt kritik pou R&D. Sepandan, gen kèk pwoblèm yo dwe konsidere yo nan lòd yo kenbe presizyon nan mezi.

• Yo ta dwe konsidere fason koneksyon ant pil ak ekipman chaj ak egzeyat. Rezistans koneksyon an ta dwe osi ba ke posib (sijere pa pi gwo pase0.02mΩ).
• Koneksyon an nan vòltaj ak aktyèl fil koleksyon enpòtan tou.It ta pi bon konekte nan menm bò a nan onglè. Li ta dwe remake ke pa konekte fil yo koleksyon ak fil yo chaje nan ekipman yo.
• Yo ta dwe pran an konsiderasyon presizyon nan ekipman chaj ak egzeyat ak tan repons lan. Tan repons lan sijere pa pi long pase 10ms. Pi kout tan repons, se rezilta a pi egzak.